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Fabricante: |
NXP |
| Categoría de productos: | RF MOSFET Transistors |
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Technology: |
GaN Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
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Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
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Gain: |
14.1 dB |
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Output Power: |
18 W |
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Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
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Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
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Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
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Paquete / Estuche: |
DFN-10 |
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Embalaje: |
Carrete |
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Embalaje: |
Cinta de corte |
| Marca: | NXP Semiconductors |
| Número de canales: | 2 Channel |
| Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | A5G35H120N |
| Cantidad del paquete de fábrica: | 2000 |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Parte # Aliases: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Propiedades del producto
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Fabricante: |
NXP |
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Paquete / Estuche: |
DFN-10 |
| Número de canales: | 2 Channel |
| Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
| Series: | A5G35H120N |
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