Fabricante: |
NXP |
Categoría de productos: | RF MOSFET Transistors |
Technology: |
GaN Si |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
100 MHz to 2.69 GHz |
Gain: |
18 dB |
Output Power: |
8 W |
Temperatura mínima de funcionamiento: |
– 55 C |
Temperatura máxima de funcionamiento: |
+ 150 C |
Estilo de montaje: |
SMD/SMT |
Paquete / Estuche: |
DFN-6 |
Embalaje: |
Carrete |
Embalaje: |
Cinta de corte |
Marca: | NXP Semiconductors |
Número de canales: | 2 Channel |
Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
Series: | A3G26D055 |
Cantidad del paquete de fábrica: | 2500 |
Subcategoría: | MOSFETs |
Tipo: | RF Power MOSFET |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.7 V |
Parte # Aliases: | 935402445528 |
A3G26D055NT4
Propiedades del producto
Fabricante: |
NXP |
Paquete / Estuche: |
DFN-6 |
Número de canales: | 2 Channel |
Tipo de producto: | RF MOSFET Transistors |
Series: | A3G26D055 |
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