STL260N4LF7

Ιδιότητες προϊόντος

Κατασκευαστής:
 STMicroelectronics
Συσκευασία / θήκη:
 PowerFLAT5x6-8
Αριθμός καναλιών:
 1 κανάλι
Τύπος προϊόντος: MOSFET

 

Κατηγορία:
Κατασκευαστής:
 STMicroelectronics
Κατηγορία προϊόντων: MOSFET
Technology:
 Si
Στυλ τοποθέτησης:
 SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:
 PowerFLAT5x6-8
Transistor Polarity:
 N-Channel
Αριθμός καναλιών:
 1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 120 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.1 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2.5 V
Qg – Gate Charge:
 42 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
 – 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 188 W
Channel Mode:
 Enhancement
Συσκευασία:
 Καρούλι
Συσκευασία:
 Κόψτε την ταινία
Συσκευασία:
 MouseReel
Μάρκα: STMicroelectronics
Fall Time: 23 ns
Τύπος προϊόντος: MOSFET
Rise Time: 14 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: 3000
Υποκατηγορία: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 74 ns
Typical Turn-On Delay Time: 21 ns
Βάρος μονάδας: 0.002681 oz

Standard Products

STMicroelectronics Standard Products are a broad range of industry-standard and drop-in replacements for the most popular general-purpose analog ICs, discretes, and serial EEPROMs. The Standard Products are manufactured to the highest quality standards with many AECQ-qualified for automotive applications. A comprehensive set of design aids, including SPICE, IBIS models, and simulation tools, are available to make adding to a design-in easy.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials’ advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST’s 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Αξιολογήσεις

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.

Κάνετε την πρώτη αξιολόγηση για το προϊόν: “STL260N4LF7”

1 2 3 4 5

Σχετικά προϊόντα

Γρήγορη προβολή

TS954IDT

Γρήγορη προβολή

LM324QT

Γρήγορη προβολή

LM258QT

Γρήγορη προβολή

LM339PT

Γρήγορη προβολή

TS912IDT

Γρήγορη προβολή

TS27L2AIDT

Γρήγορη προβολή

LM219DT

Γρήγορη προβολή

LM224PT

elEL
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK elEL