NVMJST1D4N06CLTXG

Ιδιότητες προϊόντος

Κατασκευαστής:
 onsemi
Συσκευασία / θήκη:
 TCPAK57
Αριθμός καναλιών:
 1 κανάλι
Σειρά:
 NVMJST1D4N06CL
Τύπος προϊόντος: MOSFET

 

Κατηγορία:
Κατασκευαστής:
 onsemi
Κατηγορία προϊόντων: MOSFET
Στυλ τοποθέτησης:
 SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:
 TCPAK57
Transistor Polarity:
 N-Channel
Αριθμός καναλιών:
 1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 60 V
Id – Continuous Drain Current:
 198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2 V
Qg – Gate Charge:
 92.2 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
 – 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 113 W
Channel Mode:
 Enhancement
Σειρά:
 NVMJST1D4N06CL
Μάρκα: onsemi
Configuration: Single
Fall Time: 11 ns
Forward Transconductance – Min: 217 S
Τύπος προϊόντος: MOSFET
Rise Time: 25 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: 3000
Υποκατηγορία: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 60 ns
Typical Turn-On Delay Time: 16 ns

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low RDS(ON), low QG, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Αξιολογήσεις

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.

Κάνετε την πρώτη αξιολόγηση για το προϊόν: “NVMJST1D4N06CLTXG”

Σχετικά προϊόντα

Γρήγορη προβολή

NCV20072DMR2G

Γρήγορη προβολή

LMV331SQ3T2G

Γρήγορη προβολή

NCS213RSQT2G

Γρήγορη προβολή

TLV274DTBR2G

Γρήγορη προβολή

NCS214RSQT2G

Γρήγορη προβολή

FAN3852UC16X

Γρήγορη προβολή

MC33172DR2G

Γρήγορη προβολή

NCV20074DTBR2G

elEL
en_USEN arAR bg_BGBG cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK elEL