Κατασκευαστής: |
onsemi |
Κατηγορία προϊόντων: | MOSFET |
Στυλ τοποθέτησης: |
SMD/SMT |
Συσκευασία / θήκη: |
TCPAK57 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
198 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
1.49 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
Qg – Gate Charge: |
92.2 nC |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
– 55 C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
113 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Σειρά: |
NVMJST1D4N06CL |
Μάρκα: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 11 ns |
Forward Transconductance – Min: | 217 S |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: | 3000 |
Υποκατηγορία: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 60 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
NVMJST1D4N06CLTXG
Ιδιότητες προϊόντος
Κατασκευαστής: |
onsemi |
Συσκευασία / θήκη: |
TCPAK57 |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Σειρά: |
NVMJST1D4N06CL |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Αξιολογήσεις
Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.