NVMJST1D4N06CLTXG

Ιδιότητες προϊόντος

Κατασκευαστής:	onsemi
Συσκευασία / θήκη:	TCPAK57
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Σειρά:	NVMJST1D4N06CL
Τύπος προϊόντος:	MOSFET

Στείλτε έρευνα

Κατηγορία: ONSEMI

Περιγραφή
Αξιολογήσεις (0)

Κατασκευαστής:	onsemi
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:	TCPAK57
Transistor Polarity:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id – Continuous Drain Current:	198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	92.2 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	113 W
Channel Mode:	Enhancement
Σειρά:	NVMJST1D4N06CL
Μάρκα:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	217 S
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	3000
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	60 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns

Περισσότερες πληροφορίες

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Αξιολογήσεις

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.

NVMJST1D4N06CLTXG

Περισσότερες πληροφορίες

Single N-Channel Power MOSFETs

Αξιολογήσεις

Κάνετε την πρώτη αξιολόγηση για το προϊόν: “NVMJST1D4N06CLTXG” Ακύρωση απάντησης

Σχετικά προϊόντα

Σύνδεση