NVMFS9D6P04M8LT1G

Ιδιότητες προϊόντος

Κατηγορία: ONSEMI

Κατασκευαστής:	onsemi
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:	SO-8FL
Transistor Polarity:	P-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	77 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	9.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.4 V
Qg – Gate Charge:	15.05 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	75 W
Channel Mode:	Enhancement
Σειρά:	NVMFS9D6P04M8L
Συσκευασία:	Καρούλι
Συσκευασία:	Κόψτε την ταινία
Μάρκα:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	63 ns
Forward Transconductance – Min:	36 S
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	103 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	1500
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	83.3 ns
Typical Turn-On Delay Time:	13.1 ns

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.