NVH4L060N065SC1

Ιδιότητες προϊόντος

Κατασκευαστής:	onsemi
Συσκευασία / θήκη:	TO-247-4
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Σειρά:	NVH4L060N065SC1
Τύπος προϊόντος:	MOSFET

Στείλτε έρευνα

Κατηγορία: ONSEMI

Περιγραφή
Αξιολογήσεις (0)

Κατασκευαστής:	onsemi
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	SiC
Στυλ τοποθέτησης:	Μέσα από την τρύπα
Συσκευασία / θήκη:	TO-247-4
Transistor Polarity:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	47 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	70 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 8 V, + 22 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.3 V
Qg – Gate Charge:	74 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	176 W
Channel Mode:	Enhancement
Εμπορική ονομασία:	EliteSiC
Σειρά:	NVH4L060N065SC1
Συσκευασία:	Σωλήνας
Μάρκα:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	12 S
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	14 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	450
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	24 ns
Typical Turn-On Delay Time:	11 ns

Περισσότερες πληροφορίες

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

onsemi NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs provide superior switching performance and higher reliability than Silicon. The onsemi NVH4L060N065SC1 features low ON resistance, and the compact chip size ensures low capacitance and gate charge. System benefits include high efficiency, fast operation frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size.

Αξιολογήσεις

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.

NVH4L060N065SC1

Περισσότερες πληροφορίες

NVH4L060N065SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Αξιολογήσεις

Κάνετε την πρώτη αξιολόγηση για το προϊόν: “NVH4L060N065SC1” Ακύρωση απάντησης

Σχετικά προϊόντα

Σύνδεση