NTMFS4C324NT1G

Ιδιότητες προϊόντος

Κατηγορία: ONSEMI

Κατασκευαστής:	onsemi
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:	SO-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Id – Continuous Drain Current:	136 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.7 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2.2 V
Qg – Gate Charge:	20.8 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	64 W
Channel Mode:	Enhancement
Μάρκα:	onsemi
Configuration:	SIngle
Fall Time:	17 ns
Forward Transconductance – Min:	136 S
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	32 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	1500
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	27 ns
Typical Turn-On Delay Time:	14 ns

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.