Κατασκευαστής: |
Texas Instruments |
Κατηγορία προϊόντων: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
Στυλ τοποθέτησης: |
SMD/SMT |
Συσκευασία / θήκη: |
VSON-CLIP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
Id – Continuous Drain Current: |
100 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.9 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.6 V |
Qg – Gate Charge: |
48 nC |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
– 55 C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
3.1 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Εμπορική ονομασία: |
NexFET |
Σειρά: |
CSD19532Q5B |
Συσκευασία: |
Καρούλι |
Συσκευασία: |
Κόψτε την ταινία |
Συσκευασία: |
MouseReel |
Μάρκα: | Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 84 S |
Ύψος: | 1 mm |
Μήκος: | 6 mm |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Rise Time: | 6 ns |
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: | 250 |
Υποκατηγορία: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 22 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Πλάτος: | 5 mm |
Βάρος μονάδας: | 0.003714 oz |
CSD19532Q5BT
Ιδιότητες προϊόντος
Κατασκευαστής: |
Texas Instruments |
Συσκευασία / θήκη: |
VSON-CLIP-8 |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Σειρά: |
CSD19532Q5B |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Αξιολογήσεις
Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.