|
Κατασκευαστής: |
NXP |
| Κατηγορία προϊόντων: | RF MOSFET Transistors |
|
Technology: |
GaN Si |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
|
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 3.8 GHz |
|
Gain: |
14.1 dB |
|
Output Power: |
18 W |
|
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
– 55 C |
|
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
+ 150 C |
|
Στυλ τοποθέτησης: |
SMD/SMT |
|
Συσκευασία / θήκη: |
DFN-10 |
|
Συσκευασία: |
Καρούλι |
|
Συσκευασία: |
Κόψτε την ταινία |
| Μάρκα: | NXP Semiconductors |
| Αριθμός καναλιών: | 2 Κανάλι |
| Τύπος προϊόντος: | RF MOSFET Transistors |
| Σειρά: | A5G35H120N |
| Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: | 2000 |
| Υποκατηγορία: | MOSFETs |
| Τύπος: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.4 V |
| Μέρος # Ψευδώνυμα: | 935432729518 |
A5G35H120NT2
Ιδιότητες προϊόντος
|
Κατασκευαστής: |
NXP |
|
Συσκευασία / θήκη: |
DFN-10 |
| Αριθμός καναλιών: | 2 Κανάλι |
| Τύπος προϊόντος: | RF MOSFET Transistors |
| Σειρά: | A5G35H120N |
EL 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Αξιολογήσεις
Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.