|
Κατασκευαστής: |
Texas Instruments |
| Κατηγορία προϊόντων: | MOSFET |
| REACH – SVHC: | |
|
Technology: |
Si |
|
Στυλ τοποθέτησης: |
Μέσα από την τρύπα |
|
Συσκευασία / θήκη: |
TO-220-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
169 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.2 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.5 V |
|
Qg – Gate Charge: |
44 nC |
|
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
– 55 C |
|
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
+ 175 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
250 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Εμπορική ονομασία: |
NexFET |
|
Σειρά: |
CSD18532KCS |
|
Συσκευασία: |
Σωλήνας |
| Μάρκα: | Texas Instruments |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 5.6 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 187 S |
| Ύψος: | 16.51 mm |
| Μήκος: | 10.67 mm |
| Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
| Rise Time: | 5.3 ns |
| Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: | 50 |
| Υποκατηγορία: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.2 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.8 ns |
| Πλάτος: | 4.7 mm |
| Βάρος μονάδας: | 0.068784 oz |
CSD18532KCS
Ιδιότητες προϊόντος
|
Κατασκευαστής: |
Texas Instruments |
|
Συσκευασία / θήκη: |
TO-220-3 |
|
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
|
Σειρά: |
CSD18532KCS |
| Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
EL 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Αξιολογήσεις
Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.