CSD18504Q5A

Ιδιότητες προϊόντος

Κατασκευαστής:	Texas Instruments
Συσκευασία / θήκη:	VSONP-8
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Σειρά:	CSD18504Q5A
Τύπος προϊόντος:	MOSFET

Στείλτε έρευνα

Κατηγορία: Texas Instruments

Περιγραφή
Αξιολογήσεις (0)

Κατασκευαστής:	Texas Instruments
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:	VSONP-8
Transistor Polarity:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V
Id – Continuous Drain Current:	50 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	6.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Qg – Gate Charge:	16 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	77 W
Channel Mode:	Enhancement
Εμπορική ονομασία:	NexFET
Σειρά:	CSD18504Q5A
Συσκευασία:	Καρούλι
Συσκευασία:	Κόψτε την ταινία
Συσκευασία:	MouseReel
Μάρκα:	Texas Instruments
Configuration:	Single
Κιτ ανάπτυξης:	EM1402EVM
Fall Time:	2 ns
Ύψος:	1 mm
Μήκος:	6 mm
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	6.8 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	2500
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel Power MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	12 ns
Typical Turn-On Delay Time:	3.2 ns
Πλάτος:	4.9 mm
Βάρος μονάδας:	0,000847 ουγγιά

Περισσότερες πληροφορίες

CSD1850xQ5A 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs

Texas Instruments CSD1850xQ5A devices are 40V N-Channel NexFET Power MOSFETs that are designed to minimize losses in power conversion applications. TI CSD18501Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 4.3mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 3.2mΩ while CSD18503Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 6.2mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 4.3mΩ. CSD18504Q5A features R_DS(ON) Max @ VGS=4.5V of 9.8mΩ and R_DS(ON) Max @ VGS=10V of 6.6mΩ. Texas Instruments CSD1850xQ5A 40V N-channel NexFET Power MOSFETs are ideal for use in DC-DC conversion, secondary side synchronous rectifier, and battery motor control applications.

NexFET N-Channel Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are designed to minimize losses in power conversion applications. These N-channel devices feature ultra-low Qg and Qd and low thermal resistance. The Texas Instruments NexFET N-Channel Power MOSFETs are avalanche rated and come in a SON 5mm x 6mm plastic package.

TI N-Channel 8-23-12

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Αξιολογήσεις

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.