Κατασκευαστής: |
Microchip |
Κατηγορία προϊόντων: | MOSFET |
Technology: |
SiC |
Στυλ τοποθέτησης: |
Μέσα από την τρύπα |
Συσκευασία / θήκη: |
TO-247-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
3.3 kV |
Id – Continuous Drain Current: |
11 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
400 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.97 V |
Qg – Gate Charge: |
37 nC |
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
– 55 C |
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
131 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Συσκευασία: |
Σωλήνας |
Μάρκα: | Microchip Technology |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 20 ns |
Προϊόν: | MOSFETs |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου: | 30 |
Υποκατηγορία: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
MSC400SMA330B4
Ιδιότητες προϊόντος
Κατασκευαστής: |
Microchip |
Συσκευασία / θήκη: |
TO-247-4 |
Αριθμός καναλιών: |
1 κανάλι |
Προϊόν: | MOSFETs |
Τύπος προϊόντος: | MOSFET |
Αξιολογήσεις
Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.