DN3135K1-G

Ιδιότητες προϊόντος

Κατηγορία: MICROCHIP

Κατασκευαστής:	Microchip
Κατηγορία προϊόντων:	MOSFET
Technology:	Si
Στυλ τοποθέτησης:	SMD/SMT
Συσκευασία / θήκη:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Αριθμός καναλιών:	1 κανάλι
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	350 V
Id – Continuous Drain Current:	72 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	35 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	– 55 C
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Depletion
Συσκευασία:	Καρούλι
Συσκευασία:	Κόψτε την ταινία
Συσκευασία:	MouseReel
Μάρκα:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	20 ns
Forward Transconductance – Min:	140 mS
Ύψος:	0,95 mm
Μήκος:	2.9 mm
Προϊόν:	MOSFET Small Signals
Τύπος προϊόντος:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Ποσότητα συσκευασίας εργοστασίου:	3000
Υποκατηγορία:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Τύπος:	FET
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Πλάτος:	1.3 mm
Βάρος μονάδας:	0.000282 oz

Δεν υπάρχει καμία αξιολόγηση ακόμη.