|
Hersteller: |
Microchip |
| Produktkategorie: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Montageart: |
SMD/SMT |
|
Verpackung / Etui: |
SOT-23-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
350 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
110 mA |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
15 Ohms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
600 mV |
|
Qg – Gate Charge: |
– |
|
Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
|
Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
360 mW |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Verpackung: |
Rolle |
|
Verpackung: |
Band schneiden |
|
Verpackung: |
MouseReel |
| Marke: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 25 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 125 mS |
| Höhe: | 0,95 mm |
| Länge: | 2.9 mm |
| Produkt: | MOSFET Small Signals |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Rise Time: | 15 ns |
| Fabrikpackung Menge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Art: | FET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Breite: | 1.3 mm |
| Gewicht der Einheit: | 0.000282 oz |
TN5335K1-G
Produkt-Eigenschaften
|
Hersteller: |
Microchip |
|
Verpackung / Etui: |
SOT-23-3 |
|
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
| Produkt: | MOSFET Small Signals |
| Produkttyp: | MOSFET |
DE 
EN 
AR 
BG 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Bewertungen
Es gibt noch keine Bewertungen.