Hersteller: |
STMicroelectronics |
Produktkategorie: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Montageart: |
Durchgangsloch |
Verpackung / Etui: |
TO-247-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
54 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
45 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.2 V |
Qg – Gate Charge: |
80 nC |
Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
312 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Serie: |
MDmesh M9 |
Verpackung: |
Rohr |
Marke: | STMicroelectronics |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 4 ns |
Produkttyp: | MOSFET |
Rise Time: | 26 ns |
Fabrikpackung Menge: | 30 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 77 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
Gewicht der Einheit: | 0.215171 oz |
STWA65N045M9
Produkt-Eigenschaften
Hersteller: |
STMicroelectronics |
Verpackung / Etui: |
TO-247-3 |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Serie: |
MDmesh M9 |
Produkttyp: | MOSFET |
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