Hersteller: |
onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
Technology: |
Si |
Montageart: |
SMD/SMT |
Verpackung / Etui: |
LFPAK-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
40 V |
Id – Continuous Drain Current: |
80 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
4.5 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
3.5 V |
Qg – Gate Charge: |
18 nC |
Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
55 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Serie: |
NVMYS4D5N04C |
Verpackung: |
Rolle |
Verpackung: |
Band schneiden |
Marke: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 8 ns |
Forward Transconductance – Min: | 57 S |
Produkttyp: | MOSFET |
Rise Time: | 80 ns |
Fabrikpackung Menge: | 3000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
NVMYS4D5N04CTWG
Produkt-Eigenschaften
Hersteller: |
onsemi |
Verpackung / Etui: |
LFPAK-4 |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Serie: |
NVMYS4D5N04C |
Produkttyp: | MOSFET |
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