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Hersteller: |
NXP |
| Produktkategorie: | RF MOSFET Transistors |
| REACH – SVHC: | |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Technology: |
Si |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
100 V |
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Operating Frequency: |
960 MHz to 1.4 GHz |
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Gain: |
25 dB |
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Output Power: |
10 W |
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Minimale Betriebstemperatur: |
– 65 C |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
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Montageart: |
Flange Mount |
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Verpackung / Etui: |
PLD-1.5 |
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Verpackung: |
Rolle |
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Verpackung: |
Band schneiden |
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Verpackung: |
MouseReel |
| Marke: | NXP Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single Dual Source |
| Höhe: | 1.83 mm |
| Länge: | 6.73 mm |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
| Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
| Fabrikpackung Menge: | 100 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Art: | RF Power MOSFET |
| Vgs – Gate-Source Voltage: | + 10 V |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Breite: | 5.97 mm |
| Teil # Aliasnamen: | 935321297531 |
| Gewicht der Einheit: | 0.009877 oz |
MRF6V10010NR4
Produkt-Eigenschaften
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Hersteller: |
NXP |
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Verpackung / Etui: |
PLD-1.5 |
| Produkttyp: | RF MOSFET Transistors |
| Serie: | MRF6V10010N |
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