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Hersteller: |
onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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Montageart: |
Durchgangsloch |
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Verpackung / Etui: |
TO-220-3 |
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Transistor Polarity: |
N-Channel |
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Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
19 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
165 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
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Qg – Gate Charge: |
35 nC |
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Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
35 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Serie: |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Marke: | onsemi |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 16 ns |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Rise Time: | 21 ns |
| Fabrikpackung Menge: | 1000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
FCPF165N65S3L1-F154
Produkt-Eigenschaften
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Hersteller: |
onsemi |
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Verpackung / Etui: |
TO-220-3 |
|
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
|
Serie: |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Produkttyp: | MOSFET |
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