DN3525N8-G

Produkt-Eigenschaften

Hersteller:	Microchip
Produktkategorie:	MOSFET
Technology:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung / Etui:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Anzahl von Kanälen:	1 Kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimale Betriebstemperatur:	– 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Verpackung:	Rolle
Verpackung:	Band schneiden
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Höhe:	1.6 mm
Länge:	4.6 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Produkttyp:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Fabrikpackung Menge:	2000
Unterkategorie:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Art:	FET
Breite:	2.6 mm
Gewicht der Einheit:	0.004233 oz

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