Hersteller: |
Texas Instrumente |
Produktkategorie: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
Montageart: |
SMD/SMT |
Verpackung / Etui: |
LSON-CLIP-8 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Anzahl von Kanälen: |
2 Kanäle |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
30 V |
Id – Continuous Drain Current: |
20 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
– |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 8 V, + 10 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1 V, 750 mV |
Qg – Gate Charge: |
4.8 nC, 9.6 nC |
Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
6 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Handelsname: |
NexFET |
Serie: |
CSD87330Q3D |
Verpackung: |
Rolle |
Verpackung: |
Band schneiden |
Verpackung: |
MouseReel |
Marke: | Texas Instrumente |
Configuration: | Dual |
Entwicklungskit: | EVMK2GXS, EVMK2G, EVMK2GX |
Fall Time: | 1.7 ns, 1.6 ns |
Forward Transconductance – Min: | 76 S, 51 S |
Höhe: | 1,5 mm |
Länge: | 3.3 mm |
Produkttyp: | MOSFET |
Rise Time: | 6.8 ns, 7.5 ns |
Fabrikpackung Menge: | 2500 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistor Type: | 2 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 9.4 ns, 9.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 4.5 ns, 4.5 ns |
Breite: | 3.3 mm |
Gewicht der Einheit: | 0.002399 oz |
CSD87330Q3D
Produkt-Eigenschaften
Hersteller: |
Texas Instrumente |
Verpackung / Etui: |
LSON-CLIP-8 |
Anzahl von Kanälen: |
2 Kanäle |
Serie: |
CSD87330Q3D |
Produkttyp: | MOSFET |
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