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Hersteller: |
NXP |
| Produktkategorie: | RF Bipolar Transistors |
|
Serie: |
BFU730LX |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
SiGe |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
53 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
205 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
3 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
1.3 V |
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Continuous Collector Current: |
5 mA |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 125 C |
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Configuration: |
Single |
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Montageart: |
SMD/SMT |
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Verpackung / Etui: |
SOT-883C-3 |
|
Verpackung: |
Rolle |
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Verpackung: |
Band schneiden |
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Verpackung: |
MouseReel |
| Marke: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 30 mA |
| Pd – Power Dissipation: | 160 mW |
| Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
| Fabrikpackung Menge: | 10000 |
| Unterkategorie: | Transistors |
| Teil # Aliasnamen: | 934066878225 |
| Gewicht der Einheit: | 0.000022 oz |
BFU730LXZ
Produkt-Eigenschaften
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Hersteller: |
NXP |
|
Serie: |
BFU730LX |
|
Verpackung / Etui: |
SOT-883C-3 |
| Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
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