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Hersteller: |
NXP |
| Produktkategorie: | RF Bipolar Transistors |
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Serie: |
BFU530 |
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Transistor Type: |
Bipolar Wideband |
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Technology: |
Si |
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Transistor Polarity: |
NPN |
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Operating Frequency: |
11 GHz |
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DC Collector/Base Gain hfe Min: |
60 |
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max: |
12 V |
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Emitter- Base Voltage VEBO: |
2 V |
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Continuous Collector Current: |
40 mA |
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Minimale Betriebstemperatur: |
- 40 C |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
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Configuration: |
Single |
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Montageart: |
SMD/SMT |
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Verpackung / Etui: |
SOT-143B-4 |
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Verpackung: |
Rolle |
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Verpackung: |
Band schneiden |
| Marke: | NXP Semiconductors |
| Maximum DC Collector Current: | 65 mA |
| Output Power: | 10 dBm |
| Pd – Power Dissipation: | 450 mW |
| Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
| Fabrikpackung Menge: | 10000 |
| Unterkategorie: | Transistors |
| Teil # Aliasnamen: | 934067703235 |
| Gewicht der Einheit: | 0.000314 oz |
BFU530VL
Produkt-Eigenschaften
|
Hersteller: |
NXP |
|
Serie: |
BFU530 |
|
Verpackung / Etui: |
SOT-143B-4 |
| Produkttyp: | RF Bipolar Transistors |
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