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Hersteller: |
Texas Instrumente |
| Produktkategorie: | MOSFET |
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Technology: |
Si |
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Montageart: |
SMD/SMT |
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Verpackung / Etui: |
SON-8 |
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Transistor Polarity: |
P-Channel |
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Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
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Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
20 V |
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Id – Continuous Drain Current: |
76 A |
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Rds On – Drain-Source Resistance: |
300 mOhms |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 12 V, + 12 V |
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Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.15 V |
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Qg – Gate Charge: |
9.7 nC |
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Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
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Pd – Power Dissipation: |
69 W |
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Channel Mode: |
Enhancement |
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Handelsname: |
NexFET |
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Serie: |
CSD25402Q3A |
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Verpackung: |
Rolle |
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Verpackung: |
Band schneiden |
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Verpackung: |
MouseReel |
| Marke: | Texas Instrumente |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 12 ns |
| Forward Transconductance – Min: | 59 S |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Rise Time: | 7 ns |
| Fabrikpackung Menge: | 250 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Gewicht der Einheit: | 0.000981 oz |
CSD25402Q3AT
Produkt-Eigenschaften
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Hersteller: |
Texas Instrumente |
|
Verpackung / Etui: |
SON-8 |
|
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
|
Serie: |
CSD25402Q3A |
| Produkttyp: | MOSFET |
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