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Hersteller: |
Microchip |
| Produktkategorie: | Discrete Semiconductor Modules |
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Produkt: |
Power MOSFET Modules |
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Technology: |
SiC |
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Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
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Montageart: |
Screw Mount |
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Verpackung / Etui: |
TO-247-3 |
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Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
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Maximale Betriebstemperatur: |
+ 175 C |
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Verpackung: |
Rohr |
| Marke: | Microchip Technology |
| Configuration: | Single |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
| Anzahl von Kanälen: | 1 Kanal |
| Pd – Power Dissipation: | 455 W |
| Produkttyp: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Fabrikpackung Menge: | 30 |
| Unterkategorie: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Produkt-Eigenschaften
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Hersteller: |
Microchip |
|
Produkt: |
Power MOSFET Modules |
|
Verpackung / Etui: |
TO-247-3 |
| Anzahl von Kanälen: | 1 Kanal |
| Produkttyp: | Discrete Semiconductor Modules |
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