Hersteller: |
onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technology: |
Si |
Montageart: |
Durchgangsloch |
Verpackung / Etui: |
TO-220-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
40 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
82 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
5 V |
Qg – Gate Charge: |
81 nC |
Minimale Betriebstemperatur: |
– 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
313 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Serie: |
NTP082N65S3HF |
Verpackung: |
Rohr |
Marke: | onsemi |
Produkttyp: | MOSFET |
Fabrikpackung Menge: | 800 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
NTP082N65S3HF
Produkt-Eigenschaften
Hersteller: |
onsemi |
Verpackung / Etui: |
TO-220-3 |
Anzahl von Kanälen: |
1 Kanal |
Serie: |
NTP082N65S3HF |
Produkttyp: | MOSFET |
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