DN3525N8-G

Produktets egenskaber

Producent:	Microchip
Produktkategori:	MOSFET
Technology:	Si
Monteringsstil:	SMD/SMT
Pakke/etui:	SOT-89-3
Transistor Polarity:	N-Channel
Antal kanaler:	1 kanal
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	250 V
Id – Continuous Drain Current:	360 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	–
Minimum driftstemperatur:	– 55 C
Maksimal driftstemperatur:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	1.6 W
Channel Mode:	Depletion
Emballage:	Spole
Emballage:	Klip tape
Emballage:	MouseReel
Brand:	Microchip Technology
Configuration:	Single
Fall Time:	40 ns
Højde:	1.6 mm
Længde:	4.6 mm
Produkt:	MOSFET Small Signals
Produkttype:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Fabrikspakke Antal:	2000
Underkategori:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Type:	FET
Bredde:	2.6 mm
Enhedsvægt:	0.004233 oz

Der er ingen anmeldelser endnu.