Producent: |
NXP |
Produktkategori: | RF MOSFET Transistors |
Technology: |
GaN Si |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
100 MHz to 2.69 GHz |
Gain: |
18 dB |
Output Power: |
8 W |
Minimum driftstemperatur: |
– 55 C |
Maksimal driftstemperatur: |
+ 150 C |
Monteringsstil: |
SMD/SMT |
Pakke/etui: |
DFN-6 |
Emballage: |
Spole |
Emballage: |
Klip tape |
Brand: | NXP Semiconductors |
Antal kanaler: | 2 kanal |
Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
Fabrikspakke Antal: | 2500 |
Underkategori: | MOSFETs |
Type: | RF Power MOSFET |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.7 V |
Del # Aliasser: | 935402445528 |
A3G26D055NT4
Produktets egenskaber
Producent: |
NXP |
Pakke/etui: |
DFN-6 |
Antal kanaler: | 2 kanal |
Produkttype: | RF MOSFET Transistors |
Serie: | A3G26D055 |
Anmeldelser
Der er ingen anmeldelser endnu.