Výrobce: |
onsemi |
Kategorie výrobků: | MOSFET |
REACH – SVHC: | |
Technika: |
Si |
Způsob montáže: |
Skrz díru |
Balení / pouzdro: |
TO-247-3 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Počet kanálů: |
1 kanál |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
Id – Continuous Drain Current: |
75 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
19.3 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4 V |
Qg – Gate Charge: |
282 nC |
Minimální provozní teplota: |
– 55 C |
Maximální provozní teplota: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
625 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Série: |
NTHL019N65S3H |
Balení: |
Trubka |
Značka: | onsemi |
Typ výrobku: Dřevěné obaly na boty: | MOSFET |
Tovární balení Množství: | 450 |
Podkategorie: | MOSFETs |
NTHL019N65S3H
Vlastnosti produktu
Výrobce: |
onsemi |
Balení / pouzdro: |
TO-247-3 |
Počet kanálů: |
1 kanál |
Série: |
NTHL019N65S3H |
Typ výrobku: Dřevěné obaly na boty: | MOSFET |
Recenze
Zatím nejsou žádné recenze.