MSC080SMA120B

Vlastnosti produktu

Výrobce:
 Mikročip
Balení / pouzdro:
 TO-247-3
Počet kanálů:
 1 kanál
Typ výrobku: Dřevěné obaly na boty: MOSFET

 

Kategorie:
Výrobce:
 Mikročip
Kategorie výrobků: MOSFET
Technika:
 SiC
Způsob montáže:
 Skrz díru
Balení / pouzdro:
 TO-247-3
Transistor Polarity:
 N-Channel
Počet kanálů:
 1 kanál
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 1.2 kV
Id – Continuous Drain Current:
 37 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 100 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 10 V, + 23 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 1.8 V
Qg – Gate Charge:
 64 nC
Minimální provozní teplota:
 – 55 C
Maximální provozní teplota:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 200 W
Channel Mode:
 Enhancement
Balení:
 Trubka
Značka: Technologie mikročipu
Configuration: Single
Typ výrobku: Dřevěné obaly na boty: MOSFET
Tovární balení Množství: 30
Podkategorie: MOSFETs
Hmotnost jednotky: 0.211644 oz

Silicon Carbide (SiC) Semiconductors

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Semiconductors are an innovative option for power electronic designers looking to improve system efficiency, smaller form factor, and higher operating temperature in products covering industrial, medical, military/aerospace, aviation, and communication market segments. Microchip’s next-generation SiC MOSFETs and SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs) are designed with high repetitive Unclamped Inductive Switching (UIS) capability, and its SiC MOSFETs maintain high UIS capability at approximately 10J/cm2 to 15J/cm2 and robust short-circuit protection at 3ms to 5ms. The Microchip Technology SiC SBDs are designed with balanced surge current, forward voltage, thermal resistance, and thermal capacitance ratings at low reverse current for lower switching loss. In addition, SiC MOSFET and SiC SBD die can be paired together for use in modules.

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) MOSFETs offer superior dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power MOSFETs. These MOSFETs have low capacitances, low gate charge, fast switching speed, and good avalanche ruggedness. The SiC MOSFETs can stabilize operation at 175°C high junction temperature. These MOSFETs provide high efficiency with low switching losses. The SiC MOSFETs do not require any freewheeling diodes. Typical applications include smart grid transmission and distribution, induction heating and welding, and power supply and distribution.

Recenze

Zatím nejsou žádné recenze.

Buďte první, kdo ohodnotí "MSC080SMA120B"

Související produkty

Rychlý náhled

MCP6442T-E/MNY

Rychlý náhled

MCP6N11-001E/SN

Rychlý náhled

MCP6479-E/ST

Rychlý náhled

MCP6401T-E/LT

Rychlý náhled

MCP6V87T-E/MS

Rychlý náhled

MCP6V96T-E/OT

Rychlý náhled

MCP6009-E/ST

Rychlý náhled

MCP6477T-E/MS

cs_CZCS
en_USEN arAR bg_BGBG da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK cs_CZCS