TP5322K1-G

Свойства на продукта

Категория: MICROCHIP

Производител:	Микрочип
Категория продукти:	MOSFET
Technology:	Si
Стил на монтиране:	SMD/SMT
Опаковка / калъф:	SOT-23-3
Transistor Polarity:	P-Channel
Брой на каналите:	1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	220 V
Id – Continuous Drain Current:	120 mA
Rds On – Drain-Source Resistance:	12 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Qg – Gate Charge:	–
Минимална работна температура:	– 55 C
Максимална работна температура:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	360 mW
Channel Mode:	Enhancement
Опаковка:	Макара
Опаковка:	Изрязване на лентата
Опаковка:	MouseReel
Марка:	Микрочипова технология
Configuration:	Неженен
Fall Time:	15 ns
Forward Transconductance – Min:	100 mS
Височина:	0,95 мм
Дължина:	2.9 mm
Продукт:	MOSFET Small Signals
Тип на продукта:	MOSFET
Rise Time:	15 ns
Фабрична опаковка Количество:	3000
Подкатегория:	MOSFETs
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	20 ns
Typical Turn-On Delay Time:	10 ns
Широчина:	1.3 mm
Тегло на единицата:	0.000282 oz

Все още няма отзиви.