|
Производител: |
Микрочип |
| Категория продукти: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Стил на монтиране: |
SMD/SMT |
|
Опаковка / калъф: |
VDFN-12 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel, P-Channel |
|
Брой на каналите: |
4 канала |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
200 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
2 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
7 Ohms, 8 Ohms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1 V, 2.4 V |
|
Qg – Gate Charge: |
– |
|
Минимална работна температура: |
– 55 C |
|
Максимална работна температура: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
– |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Опаковка: |
Макара |
|
Опаковка: |
Изрязване на лентата |
| Марка: | Микрочипова технология |
| Configuration: | Quad |
| Чувствителен към влага: | Да |
| Продукт: | MOSFET Small Signals |
| Тип на продукта: | MOSFET |
| Фабрична опаковка Количество: | 3300 |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 2 N-Channel, 2 P-Channel |
| Тегло на единицата: | 0.206132 oz |
TC7920K6-G
Свойства на продукта
|
Производител: |
Микрочип |
|
Опаковка / калъф: |
VDFN-12 |
|
Брой на каналите: |
4 канала |
| Продукт: | MOSFET Small Signals |
| Тип на продукта: | MOSFET |
BG 
EN 
AR 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Отзиви
Все още няма отзиви.