NTMFS3D6N10MCLT1G

Свойства на продукта

Производител:
 onsemi
Опаковка / калъф:
 SO-8FL-4
Брой на каналите:
 1 канал
Серия:
 NTMFS3D6N10MCL
Тип на продукта: MOSFET

 

Категория:
Производител:
 onsemi
Категория продукти: MOSFET
ДОСТИГНАТ – SVHC:
Technology:
 Si
Стил на монтиране:
 SMD/SMT
Опаковка / калъф:
 SO-8FL-4
Transistor Polarity:
 N-Channel
Брой на каналите:
 1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 100 V
Id – Continuous Drain Current:
 131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 3 V
Qg – Gate Charge:
 60 nC
Минимална работна температура:
 – 55 C
Максимална работна температура:
 + 150 C
Pd – Power Dissipation:
 136 W
Channel Mode:
 Enhancement
Серия:
 NTMFS3D6N10MCL
Опаковка:
 Макара
Опаковка:
 Изрязване на лентата
Опаковка:
 MouseReel
Марка: onsemi
Тип на продукта: MOSFET
Фабрична опаковка Количество: 1500
Подкатегория: MOSFETs

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (RDS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

Отзиви

Все още няма отзиви.

Напишете първия отзив за "NTMFS3D6N10MCLT1G"

Свързани продукти

Бърз преглед

NCS213RSQT2G

Бърз преглед

NCS21872DMR2G

Бърз преглед

NCS20072DMR2G

Бърз преглед

MC33172VDR2G

Бърз преглед

SA572DR2G

Бърз преглед

NCS20032DR2G

Бърз преглед

NCS214RSQT2G

Бърз преглед

LM2904DMR2G

bg_BGBG
en_USEN arAR cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK bg_BGBG