Производител: |
Микрочип |
Категория продукти: | MOSFET |
Technology: |
SiC |
Стил на монтиране: |
През дупката |
Опаковка / калъф: |
TO-247-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
Брой на каналите: |
1 канал |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
3.3 kV |
Id – Continuous Drain Current: |
11 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
400 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2.97 V |
Qg – Gate Charge: |
37 nC |
Минимална работна температура: |
– 55 C |
Максимална работна температура: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
131 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
Опаковка: |
Тръба |
Марка: | Микрочипова технология |
Configuration: | Неженен |
Fall Time: | 20 ns |
Продукт: | MOSFETs |
Тип на продукта: | MOSFET |
Rise Time: | 8 ns |
Фабрична опаковка Количество: | 30 |
Подкатегория: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
MSC400SMA330B4
Свойства на продукта
Производител: |
Микрочип |
Опаковка / калъф: |
TO-247-4 |
Брой на каналите: |
1 канал |
Продукт: | MOSFETs |
Тип на продукта: | MOSFET |
Отзиви
Все още няма отзиви.