|
Производител: |
Микрочип |
| Категория продукти: | Discrete Semiconductor Modules |
|
Продукт: |
Power MOSFET Modules |
|
Technology: |
SiC |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 10 V, + 23 V |
|
Стил на монтиране: |
Screw Mount |
|
Опаковка / калъф: |
TO-247-3 |
|
Минимална работна температура: |
– 55 C |
|
Максимална работна температура: |
+ 175 C |
|
Опаковка: |
Тръба |
| Марка: | Микрочипова технология |
| Configuration: | Неженен |
| Fall Time: | 18 ns |
| Id – Continuous Drain Current: | 113 A |
| Брой на каналите: | 1 канал |
| Pd – Power Dissipation: | 455 W |
| Тип на продукта: | Discrete Semiconductor Modules |
| Rds On – Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Rise Time: | 13 ns |
| Фабрична опаковка Количество: | 30 |
| Подкатегория: | Discrete Semiconductor Modules |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 51 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 29 ns |
| Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V |
MSC017SMA120B
Свойства на продукта
|
Производител: |
Микрочип |
|
Продукт: |
Power MOSFET Modules |
|
Опаковка / калъф: |
TO-247-3 |
| Брой на каналите: | 1 канал |
| Тип на продукта: | Discrete Semiconductor Modules |
BG 
EN 
AR 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Отзиви
Все още няма отзиви.