|
Производител: |
onsemi |
| Категория продукти: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Стил на монтиране: |
През дупката |
|
Опаковка / калъф: |
TO-220-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Брой на каналите: |
1 канал |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
650 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
19 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
165 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
4.5 V |
|
Qg – Gate Charge: |
35 nC |
|
Минимална работна температура: |
– 55 C |
|
Максимална работна температура: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
35 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Серия: |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Марка: | onsemi |
| Configuration: | Неженен |
| Fall Time: | 16 ns |
| Тип на продукта: | MOSFET |
| Rise Time: | 21 ns |
| Фабрична опаковка Количество: | 1000 |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
FCPF165N65S3L1-F154
Свойства на продукта
|
Производител: |
onsemi |
|
Опаковка / калъф: |
TO-220-3 |
|
Брой на каналите: |
1 канал |
|
Серия: |
FCPF165N65S3L1-F154 |
| Тип на продукта: | MOSFET |
BG 
EN 
AR 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Отзиви
Все още няма отзиви.