BFU730LXZ

Свойства на продукта

Категория: NXP

Производител:	NXP
Категория продукти:	RF Bipolar Transistors
Серия:	BFU730LX
Transistor Type:	Bipolar Wideband
Technology:	SiGe
Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	53 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min:	205
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	3 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	1.3 V
Continuous Collector Current:	5 mA
Максимална работна температура:	+ 125 С
Configuration:	Неженен
Стил на монтиране:	SMD/SMT
Опаковка / калъф:	SOT-883C-3
Опаковка:	Макара
Опаковка:	Изрязване на лентата
Опаковка:	MouseReel
Марка:	NXP Semiconductors
Maximum DC Collector Current:	30 mA
Pd – Power Dissipation:	160 mW
Тип на продукта:	RF Bipolar Transistors
Фабрична опаковка Количество:	10000
Подкатегория:	Transistors
Част # Псевдоними:	934066878225
Тегло на единицата:	0.000022 oz