|
Производител: |
Микрочип |
| Категория продукти: | MOSFET |
|
Technology: |
Si |
|
Стил на монтиране: |
През дупката |
|
Опаковка / калъф: |
TO-247-3 |
|
Transistor Polarity: |
N-Channel |
|
Брой на каналите: |
1 канал |
|
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
500 V |
|
Id – Continuous Drain Current: |
47 A |
|
Rds On – Drain-Source Resistance: |
100 mOhms |
|
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 30 V, + 30 V |
|
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
|
Qg – Gate Charge: |
470 nC |
|
Минимална работна температура: |
– 55 C |
|
Максимална работна температура: |
+ 150 C |
|
Pd – Power Dissipation: |
520 W |
|
Channel Mode: |
Enhancement |
|
Опаковка: |
Тръба |
| Марка: | Микрочипова технология |
| Configuration: | Неженен |
| Тип на продукта: | MOSFET |
| Фабрична опаковка Количество: | 1 |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Тегло на единицата: | 0.211644 oz |
APT5010LVRG
Свойства на продукта
|
Производител: |
Микрочип |
|
Опаковка / калъф: |
TO-247-3 |
|
Брой на каналите: |
1 канал |
| Тип на продукта: | MOSFET |
BG 
EN 
AR 
CS 
DA 
NL 
ET 
FI 
FR 
DE 
EL 
HU 
IT 
JA 
KO 
NB 
PL 
RU 
ES 
SV 
TR 
UK
Отзиви
Все още няма отзиви.