STL260N4LF7

Свойства на продукта

Производител:
 STMicroelectronics
Опаковка / калъф:
 PowerFLAT5x6-8
Брой на каналите:
 1 канал
Тип на продукта: MOSFET

 

Категория:
Производител:
 STMicroelectronics
Категория продукти: MOSFET
Technology:
 Si
Стил на монтиране:
 SMD/SMT
Опаковка / калъф:
 PowerFLAT5x6-8
Transistor Polarity:
 N-Channel
Брой на каналите:
 1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:
 40 V
Id – Continuous Drain Current:
 120 A
Rds On – Drain-Source Resistance:
 1.1 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:
 – 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:
 2.5 V
Qg – Gate Charge:
 42 nC
Минимална работна температура:
 – 55 C
Максимална работна температура:
 + 175 C
Pd – Power Dissipation:
 188 W
Channel Mode:
 Enhancement
Опаковка:
 Макара
Опаковка:
 Изрязване на лентата
Опаковка:
 MouseReel
Марка: STMicroelectronics
Fall Time: 23 ns
Тип на продукта: MOSFET
Rise Time: 14 ns
Фабрична опаковка Количество: 3000
Подкатегория: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 74 ns
Typical Turn-On Delay Time: 21 ns
Тегло на единицата: 0.002681 oz

Стандартни продукти

Стандартните продукти на STMicroelectronics са широка гама от индустриални стандарти и заместители за най-популярните аналогови интегрални схеми с общо предназначение, дискретни и серийни EEPROM. Стандартните продукти са произведени по най-високите стандарти за качество с много AECQ квалифицирани за автомобилни приложения. Изчерпателен набор от помощни средства за проектиране, включително SPICE, IBIS модели и инструменти за симулация, са на разположение, за да направят добавянето към проектирането лесно.

Silicon Carbide Power MOSFETs

STMicroelectronics Silicon Carbide Power MOSFETs bring wide bandgap materials’ advanced efficiency and reliability to a broader range of energy-conscious applications. These applications include inverters for electric/hybrid vehicles, solar or wind power generation, high-efficiency drives, power supplies, and smart-grid equipment. An extended voltage range from 650V to 1700V features excellent switching performance combined with very low on-state resistance RDS(on) per area Figure Of Merit. ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST’s 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also features significantly reduced switching losses with minimal variation versus the temperature.  

Отзиви

Все още няма отзиви.

Напишете първия отзив за "STL260N4LF7"

Свързани продукти

Бърз преглед

LM258ADT

Бърз преглед

TDA75610S-48X

Бърз преглед

TL084AIDT

Бърз преглед

TL084BCDT

Бърз преглед

TS954IDT

Бърз преглед

TDA7575B

Бърз преглед

TS27L2CDT

Бърз преглед

TSV792IST

bg_BGBG
en_USEN arAR cs_CZCS da_DKDA nl_NLNL etET fiFI fr_FRFR de_DEDE elEL hu_HUHU it_ITIT jaJA ko_KRKO nb_NONB pl_PLPL ru_RURU es_ARES sv_SESV tr_TRTR ukUK bg_BGBG