NVMJST1D4N06CLTXG

Свойства на продукта

Производител:	onsemi
Опаковка / калъф:	TCPAK57
Брой на каналите:	1 канал
Серия:	NVMJST1D4N06CL
Тип на продукта:	MOSFET

Изпрати запитване

Категория: ONSEMI

Описание
Отзиви (0)

Производител:	onsemi
Категория продукти:	MOSFET
Стил на монтиране:	SMD/SMT
Опаковка / калъф:	TCPAK57
Transistor Polarity:	N-Channel
Брой на каналите:	1 канал
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Id – Continuous Drain Current:	198 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	1.49 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	92.2 nC
Минимална работна температура:	– 55 C
Максимална работна температура:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	113 W
Channel Mode:	Enhancement
Серия:	NVMJST1D4N06CL
Марка:	onsemi
Configuration:	Неженен
Fall Time:	11 ns
Forward Transconductance – Min:	217 S
Тип на продукта:	MOSFET
Rise Time:	25 ns
Фабрична опаковка Количество:	3000
Подкатегория:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	60 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns

Повече информация

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are designed for compact and efficient designs with a small footprint. These power MOSFETs feature low R_DS(ON), low Q_G, and capacitance, which minimize conduction and driver losses. These MOSFETs are available in 40V, 60V, and 80V drain-to-source voltages and a ±20V gate-to-source voltage. The onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant.

Отзиви

Все още няма отзиви.

NVMJST1D4N06CLTXG

Повече информация

Single N-Channel Power MOSFETs

Отзиви

Напишете първия отзив за "NVMJST1D4N06CLTXG" Отказ

Свързани продукти

Вход