TC7920K6-G

خصائص المنتج

التصنيف: رقاقة

الصانع:	Microchip
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	VDFN-12
Transistor Polarity:	N-Channel, P-Channel
عدد القنوات:	4 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	200 V
Id – Continuous Drain Current:	2 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	7 Ohms, 8 Ohms
Vgs – Gate-Source Voltage:	–
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	1 V, 2.4 V
Qg – Gate Charge:	–
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	–
Channel Mode:	Enhancement
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
ماركة:	Microchip Technology
Configuration:	Quad
حساسة للرطوبة:	نعم
منتج:	MOSFET Small Signals
نوع المنتج:	MOSFET
كمية حزمة المصنع:	3300
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	2 N-Channel, 2 P-Channel
وحدة الوزن:	0.206132 oz

لا توجد مراجعات بعد.