الصانع: |
onsemi |
فئة المنتج: | MOSFET |
Technology: |
Si |
نمط التركيب: |
سمد/سمت |
الحزمة / القضية: |
LFPAK-4 |
Transistor Polarity: |
N-Channel |
عدد القنوات: |
1 قناة |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
60 V |
Id – Continuous Drain Current: |
50 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
9.2 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
2 V |
Qg – Gate Charge: |
9.5 nC |
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: |
– 55 C |
درجة حرارة التشغيل القصوى: |
+ 175 C |
Pd – Power Dissipation: |
46 W |
Channel Mode: |
Enhancement |
مسلسل: |
NVMYS9D3N06CL |
التعبئة والتغليف: |
بكرة |
التعبئة والتغليف: |
قطع الشريط |
ماركة: | onsemi |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 2 ns |
Forward Transconductance – Min: | 37 S |
نوع المنتج: | MOSFET |
Rise Time: | 25 ns |
كمية حزمة المصنع: | 3000 |
تصنيف فرعي: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
NVMYS9D3N06CLTWG
خصائص المنتج
الصانع: |
onsemi |
الحزمة / القضية: |
LFPAK-4 |
عدد القنوات: |
1 قناة |
مسلسل: |
NVMYS9D3N06CL |
نوع المنتج: | MOSFET |
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.