NVMYS4D5N04CTWG

خصائص المنتج

الصانع:	onsemi
الحزمة / القضية:	LFPAK-4
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	NVMYS4D5N04C
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: أونسيمي

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	LFPAK-4
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 فولت
Id – Continuous Drain Current:	80 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	4.5 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3.5 V
Qg – Gate Charge:	18 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	55 W
Channel Mode:	Enhancement
مسلسل:	NVMYS4D5N04C
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
ماركة:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	8 ns
Forward Transconductance – Min:	57 S
نوع المنتج:	MOSFET
Rise Time:	80 ns
كمية حزمة المصنع:	3000
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	26 ns
Typical Turn-On Delay Time:	12 ns

معلومات اكثر

NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs are engineered for automotive applications and encased in a 5mm x 6mm LFPAK package. The onsemi NVMYS4D5N04C facilitates compact and efficient designs while ensuring high thermal performance. The MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications that demand enhanced board-level reliability.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

NVMYS4D5N04CTWG

معلومات اكثر

NVMYS4D5N04C Single N-Channel Power MOSFETs

المراجعات

كن أول من يقيم “NVMYS4D5N04CTWG” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول