NVBLS0D5N04CTXG

خصائص المنتج

الصانع:	onsemi
الحزمة / القضية:	TO-LL8-8
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	NVBLS0D5N04C
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: أونسيمي

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	TO-LL8-8
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	40 فولت
Id – Continuous Drain Current:	300 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	570 uOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg – Gate Charge:	185 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	198.4 W
Channel Mode:	Enhancement
مسلسل:	NVBLS0D5N04C
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	onsemi
نوع المنتج:	MOSFET
كمية حزمة المصنع:	2000
تصنيف فرعي:	MOSFETs

معلومات اكثر

Automotive Power MOSFETs

onsemi Power MOSFETs feature low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_g/capacitance to minimize driver losses. These power MOSFETs lower switching losses/Electro-Magnetic Interference (EMI). onsemi Automotive Power MOSFETs come in a TO-Leadless (TOLL) package for efficient designs with high thermal performance. These MOSFETs are AEC-Q101 qualified and PPAP capable for automotive applications. These devices are suitable for power tools, battery-operated vacuums, unmanned aerial vehicles (UAVs)/drones, material handling, battery management systems (BMS)/storage, and home automation.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

NVBLS0D5N04CTXG

معلومات اكثر

Automotive Power MOSFETs

المراجعات

كن أول من يقيم “NVBLS0D5N04CTXG” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول