NTMFS3D6N10MCLT1G

خصائص المنتج

الصانع:	onsemi
الحزمة / القضية:	SO-8FL-4
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	NTMFS3D6N10MCL
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: أونسيمي

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	SO-8FL-4
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id – Continuous Drain Current:	131 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	3.6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	3 خامسا
Qg – Gate Charge:	60 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	136 W
Channel Mode:	Enhancement
مسلسل:	NTMFS3D6N10MCL
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	onsemi
نوع المنتج:	MOSFET
كمية حزمة المصنع:	1500
تصنيف فرعي:	MOSFETs

معلومات اكثر

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET is designed for compact and efficient designs with high thermal performance. This MOSFET comes with low drain-to-source resistance (R_DS(on)) to minimize conduction losses and low capacitance to minimize driver losses. onsemi NTMFS3D6N10MCL MOSFET is available in a small footprint flat lead package with 5mm x 6mm dimensions. Typical applications include primary DC-DC MOSFETs, synchronous rectifiers in DC-DC and AC-DC, motor drives, and switching power supplies.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

NTMFS3D6N10MCLT1G

معلومات اكثر

NTMFS3D6N10MCL Single N-Channel Power MOSFET

المراجعات

كن أول من يقيم “NTMFS3D6N10MCLT1G” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول