NTMFS006N12MCT1G

خصائص المنتج

الصانع:	onsemi
الحزمة / القضية:	SO-8FL-4
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	NTMFS006N12MC
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: أونسيمي

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	SO-8FL-4
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	120 V
Id – Continuous Drain Current:	93 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	6 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4 V
Qg – Gate Charge:	42 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	104 W
Channel Mode:	Enhancement
مسلسل:	NTMFS006N12MC
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	onsemi
نوع المنتج:	MOSFET
كمية حزمة المصنع:	1500
تصنيف فرعي:	MOSFETs

معلومات اكثر

Single N-Channel Power MOSFETs

onsemi Single N-Channel Power MOSFETs are small-footprint and compact MOSFETs with low R_DS(on) and low capacitance. The low R_DS(on) value helps to minimize conduction losses, and low capacitance minimizes driver losses. These single N-channel power MOSFETs are Pb-free and RoHS compliant and feature a -55°C to +175°C operating temperature range.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

NTMFS006N12MCT1G

معلومات اكثر

Single N-Channel Power MOSFETs

المراجعات

كن أول من يقيم “NTMFS006N12MCT1G” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول