FDD3670

خصائص المنتج

الصانع:	onsemi
الحزمة / القضية:	DPAK-3 (TO-252-3)
عدد القنوات:	1 قناة
مسلسل:	FDD3670
نوع المنتج:	MOSFET

إرسال الاستفسار

التصنيف: أونسيمي

الوصف
مراجعات (0)

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
REACH – SVHC:
Technology:	Si
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V
Id – Continuous Drain Current:	34 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	22 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Qg – Gate Charge:	80 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 175 C
Pd – Power Dissipation:	3.8 W
Channel Mode:	Enhancement
اسم تجاري:	PowerTrench
مسلسل:	FDD3670
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
التعبئة والتغليف:	MouseReel
ماركة:	onsemi / Fairchild
Configuration:	Single
Fall Time:	25 ns
Forward Transconductance – Min:	31 S
ارتفاع:	2.39 mm
طول:	6.73 mm
نوع المنتج:	MOSFET
Rise Time:	10 ns
كمية حزمة المصنع:	2500
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
يكتب:	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time:	56 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns
عرض:	6.22 mm
الأسماء المستعارة للجزء #:	FDD3670_NL
وحدة الوزن:	0.011640 oz

معلومات اكثر

Cloud Power Management Solutions

onsemi Cloud Power Management Solutions drive efficiency while simplifying system design, reducing board space, improving reliability, and accelerating time to market. As the world demand for energy increases by 35% to 40% by 2030, onsemi powers major industrial products with cool efficiency to conserve the energy used daily.

المراجعات

لا توجد مراجعات بعد.

FDD3670

معلومات اكثر

Cloud Power Management Solutions

المراجعات

كن أول من يقيم “FDD3670” إلغاء الرد

منتجات ذات صلة

تسجيل الدخول