FCPF165N65S3L1-F154

خصائص المنتج

التصنيف: أونسيمي

الصانع:	onsemi
فئة المنتج:	MOSFET
Technology:	Si
نمط التركيب:	من خلال ثقب
الحزمة / القضية:	TO-220-3
Transistor Polarity:	N-Channel
عدد القنوات:	1 قناة
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Id – Continuous Drain Current:	19 A
Rds On – Drain-Source Resistance:	165 mOhms
Vgs – Gate-Source Voltage:	– 30 V, + 30 V
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage:	4.5 فولت
Qg – Gate Charge:	35 nC
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	– 55 C
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Pd – Power Dissipation:	35 W
Channel Mode:	Enhancement
مسلسل:	FCPF165N65S3L1-F154
ماركة:	onsemi
Configuration:	Single
Fall Time:	16 ns
نوع المنتج:	MOSFET
Rise Time:	21 ns
كمية حزمة المصنع:	1000
تصنيف فرعي:	MOSFETs
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	55 ns
Typical Turn-On Delay Time:	18 ns

لا توجد مراجعات بعد.