BFU530VL

خصائص المنتج

التصنيف: إن إكس بي

الصانع:	إن إكس بي
فئة المنتج:	RF Bipolar Transistors
مسلسل:	BFU530
Transistor Type:	Bipolar Wideband
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Operating Frequency:	11 GHz
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	12 فولت
Emitter- Base Voltage VEBO:	2 V
Continuous Collector Current:	40 mA
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل:	- 40 ج
درجة حرارة التشغيل القصوى:	+ 150 C
Configuration:	Single
نمط التركيب:	سمد/سمت
الحزمة / القضية:	SOT-143B-4
التعبئة والتغليف:	بكرة
التعبئة والتغليف:	قطع الشريط
ماركة:	NXP Semiconductors
Maximum DC Collector Current:	65 mA
Output Power:	10 dBm
Pd – Power Dissipation:	450 mW
نوع المنتج:	RF Bipolar Transistors
كمية حزمة المصنع:	10000
تصنيف فرعي:	Transistors
الأسماء المستعارة للجزء #:	934067703235
وحدة الوزن:	0.000314 oz

لا توجد مراجعات بعد.