الصانع: |
إن إكس بي |
فئة المنتج: | RF MOSFET Transistors |
Technology: |
GaN Si |
Id – Continuous Drain Current: |
12 mA |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
125 V |
Operating Frequency: |
3.3 GHz to 4.3 GHz |
Gain: |
16.9 dB |
Output Power: |
24.5 dBm |
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: |
– 55 C |
درجة حرارة التشغيل القصوى: |
+ 150 C |
نمط التركيب: |
سمد/سمت |
الحزمة / القضية: |
DFN-6 |
التعبئة والتغليف: |
بكرة |
التعبئة والتغليف: |
قطع الشريط |
ماركة: | NXP Semiconductors |
عدد القنوات: | 1 قناة |
نوع المنتج: | RF MOSFET Transistors |
مسلسل: | A5G35S004N |
كمية حزمة المصنع: | 5000 |
تصنيف فرعي: | MOSFETs |
يكتب: | RF Power MOSFET |
Vgs – Gate-Source Voltage: | – 16 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: | – 2.5 V |
الأسماء المستعارة للجزء #: | 935417637528 |
A5G35S004NT6
خصائص المنتج
الصانع: |
إن إكس بي |
الحزمة / القضية: |
DFN-6 |
عدد القنوات: | 1 قناة |
نوع المنتج: | RF MOSFET Transistors |
مسلسل: | A5G35S004N |
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.