الصانع: |
شركة Texas Instruments |
فئة المنتج: | MOSFET |
Technology: |
Si |
نمط التركيب: |
سمد/سمت |
الحزمة / القضية: |
PICOSTAR-4 |
Transistor Polarity: |
P-Channel |
عدد القنوات: |
1 قناة |
Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: |
8 V |
Id – Continuous Drain Current: |
7.4 A |
Rds On – Drain-Source Resistance: |
40 mOhms |
Vgs – Gate-Source Voltage: |
– 6 V, + 6 V |
Vgs th – Gate-Source Threshold Voltage: |
1.05 V |
Qg – Gate Charge: |
8.5 nC |
الحد الأدنى لدرجة حرارة التشغيل: |
– 55 C |
درجة حرارة التشغيل القصوى: |
+ 150 C |
Pd – Power Dissipation: |
600 mW |
Channel Mode: |
Enhancement |
اسم تجاري: |
NexFET |
مسلسل: |
CSD22205L |
التعبئة والتغليف: |
بكرة |
التعبئة والتغليف: |
قطع الشريط |
التعبئة والتغليف: |
MouseReel |
ماركة: | شركة Texas Instruments |
Configuration: | Single |
Fall Time: | 32 ns |
Forward Transconductance – Min: | 10.4 S |
نوع المنتج: | MOSFET |
Rise Time: | 14 ns |
كمية حزمة المصنع: | 250 |
تصنيف فرعي: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 70 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
وحدة الوزن: | 0.000032 oz |
CSD22205LT
خصائص المنتج
الصانع: |
شركة Texas Instruments |
الحزمة / القضية: |
PICOSTAR-4 |
عدد القنوات: |
1 قناة |
مسلسل: |
CSD22205L |
نوع المنتج: | MOSFET |
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.